آموزش های جامع

2-6-2 روش پراکنشی (کندوپاش)
در این روش یک نمونه از ماده پوششی و زیر لایه در محفظه خلاء قرار میگیرد. محفظه تا فشار 5 تا 10 تور و کمتر تخلیه شده و سپس یک گاز خنثی، معمولاً آرگون، به داخل آن فرستاده میشود، به صورتیکه فشار تا حدّ 2 تا 10 تور و یا بیشتر افزایش یابد. ماده پوششی که از زمین عایق شده است به یک منبع الکتریکی با ولتاژ 3000- ولت وصل میشود. اعمال این ولتاژ، تخلیهی شدید الکتریکی را موجب میشود در نتیجه هالهای از یونهای آرگون به وجود می آید. یونهای آرگون تولید شده با انرژی زیاد جذب هدف یا ماده پوششی میشود و توسط یک فرایند انتقال گشتاور، اتمهای نمونه پوششی از آن جدا میشوند. اتمهای خارج شده به سمت زیر لایه حرکت کرده و بر روی آن رسوب میکنند. روش کندوپاش مواد به صورتهای واکنشی وغیر واکنشی انجام میشود. در شکل2-1 طرحی از یک دستگاه کندوپاش نمایش داده شده است.

شکل 2-1 طرحی از یک دستگاه کندوپاش

دانلود رایگان یک نمونه متن کامل پایان نامه رشته روانشناسی و علوم تربیتی با فرمت ورد

2-6-3 تبخیر با باریکه الکترونی (E.Beam)
در این روش باریکهای از الکترونها با انرژی بالا به یک منطقه محدود مشخص شده که ماده در آن منطقه قرار گرفته میتابد و باعث گرم شدن و تبخیر ماده میشود. چون در این روش باریکهی الکترونی در یک محل کوچک و محدود متمرکز میشود و آن را گرم میکند، سرعت لایهنشانی افزایش مییابد و همچنین از ترکیب شدن ذرات لایه با مواد ظرف جلوگیری میشود و خلوص لایهها افزایش می یابد. معمولیترین ساختار باریکه الکترونی، منبع تفنگی است که الکترونها از المنت گرم شده بصورت ترمویونیکی منتشر میشوند و پس از تبخیر ماده به طرف زیر لایه حرکت میکنند. این الکترونها در اختلاف پتانسیل بین 4 تا 20 کیلو ولت شتاب میگیرند و با اعمال میدان مغناطیسی مسیر حرکت آن کنترل میشود.
در روش کندوپاش وقتی یونها به سطح جسم هدف برخورد میکنند باعث کنده شدن اتمهای جسم از سطح میشوند به این عمل کندوپاش میگویند. علت کندوپاش انتقال تکانه از ذرات به اتمهای سطح هدف میباشد. نسبت تعداد اتمها یا مولکولهایی که از سطح هدف کنده میشوند بر یونهایی که به آن سطح برخورد میکنند حاصل کندوپاش میگویند. یک تفاوت بین روش تبخیر و کندوپاش این است که در تبخیر آلیاژها جزء جزء میشود و عنصر سنجی ماده انباشته از دست میرود ولی در روش کندوپاش لایههایی با همان ترکیب چشمه هدفگاه تشکیل میشوند[12،13].
یکی از مسائل مهم در کندوپاش افزایش دمای زیرلایه در حین انباشت لایه است. اتمهای کندوپاش شده که بر سطح برخورد میکنند نسبت به حالت تبخیر بسیار پر انرژیتر میباشند که این گرما باید از زیرلایه گرفته شود وگرنه باعث گرم شدن بیش از حد و کاهش کیفیت لایه انباشته میگردد. شکل 2-2 تصویر یک دستگاه لایهنشانی تبخیر فیزیکی را نشان میدهد.

شکل 2-2 تصویر دستگاه کندوپاش تبخیر فیزیکی
فصل سوم
تبدیل فوریه،تبدیل فوریهی زمان کوتاه و تبدیل موجک
3-1تبدیل فوریه و تبدیل فوریهی زمان کوتاه (پنجره)
مقدمه [14]
وقتی به یک مجموعه از اندازهگیریهای انجام شده بر روی یک پدیده قابل اندازهگیری شاخص زمان یا مکان داده شود، به یک سری اطلاعاتی خواهیم رسید که میتوان از آن اطلاعات خاصی را استخراج نمود. بکارگیری این روش در علوم مختلف از قبیل؛ فیزیک، شیمی، ژئوماتیک و…. متداول و مورد نیاز میباشد.
آنچه تحت عنوان اهداف این اندازهگیریها مطرح است، در چهار سؤال زیر خلاصه میشود:
1- چه مؤلفههایی در سری اطلاعاتی بدست آمده موجود است؟
2- یک مؤلفه بخصوص در فضای آرگومان، در کجا رخ میدهد ؟
3- یک مؤلفه بخصوص در فضای فرکانس، در کجا رخ میدهد ؟
4- یک فرکانس بخصوص در کدام قسمت از فضای آرگومان رخ میدهد ؟
پاسخ به سؤال اول و دوم نیازمند دانش اولیه در مورد طبیعت سری اطلاعاتی است. این دانش اولیه منجر به انتخاب توابع پایه مناسب در مولفه فرکانسی سیگنال است.
راه حل سؤال سوم استفاده از تبدیل فوریه بویژه در حالتی که سری اطلاعاتی ماهیت تناوبی داشته باشد است. به عبارت دیگر این روشها امکان تعیین مؤلفههای مشخص در فضای فرکانس را فراهم میآورند. اما “با استفاده از دو تبدیل فوق امکان تشخیص این که آیا یک فرکانس خاص در قسمتی از سری اطلاعاتی یا در تمامی آن وجود دارد، میسر نمیباشد.” برای پاسخگویی به سؤال چهارم نیازمند بکارگیری روشهایی دیگر هستیم. از جمله این روشها میتوان STFT نام برد.
آنالیزطیفی فوریه و فوریهی زمان کوتاه
اکثر سریهای اطلاعاتی که مورد بررسی قرار میگیرند در فضای آرگومان هستند که همواره بهترین نوع نمایش آنها نمیباشد. به عبارت دیگر در بسیاری از موارد، اطلاعات قابل استفادهی زیادی از سیگنال در دامنه فرکانس آنها نهفته است. هدف از آنالیز طیفی پیدا کردن فرکانسهای مجهول سیگنال است. آنالیز طیفی را میتوان اولین گام در تجزیه تابع f (x) به جملات مثلثاتی مجزا دانست. حل دقیق این مساله به ندرت امکان پذیر است. از جمله روشهای حل این مساله میتوان به آنالیز هارمونیک، آنالیز طیفی کمترین مربعات و آنالیز طیفی فوریه اشاره کرد[15]. بطور کلی میتوان سریهای اطلاعاتی را به دو بخش تقسیم کرد:
1- سریهای اطلاعاتی ایستا
2- سریهای اطلاعاتی ناایستا
سریهای اطلاعاتی ایستا به سریهایی اطلاق میشود که فرکانسهای موجود در آنها در تمامی نقاط فضای آرگومان رخ میدهند.

مصریان، نخستین مردمانی بودند که ورقههای نازک طلا را در مجسمه سازی، ساختن تاج های پادشاهی، صندوق، تابوت و کتابهای خطی به کار میبردند. ضخامت ورقههای نازک طلا که در آثار باستانی بدست آمده حدود 3/0 میکرون میباشد. در گذشتههای دور لایهنشانی جیوه بر روی قطعههای مسی با حرارت انجام میشده که تا قرن نوزدهم نیز بسیار معمول بود. این کار همواره با خطر مسمومیت و حتی مرگ بر اثر استشمام زیاد بخار جیوه همراه بود. ولی امروزه روشهای دیگری مانند آبکاری شیمیایی جای آن را گرفته است. امروزه زرورق با استفاده از غلطک به ضخامت 1/0 میکرون و حتی05/0 میکرون توسط زرورق سازان ساخته میشود و برای تزئین ساختارهای گوناگون استفاده میشود. در این روش ذرات ریز طلا در محلول آمیخته میشود و مانند رنگ بر روی وسایل شیشهای و چینی برای ترسیم نقاشی مورد استفاده قرار میگردد که بعد از ترسیم در کوره پخته میشود تا رنگ طلا تثبیت گردد.
همچنین از محلول مناسب طلا که نیاز به پخت نداشته باشد در نوشتن کتابهای مقدس استفاده میشود. اولین لایههای نازک مدرن امروزی در سال 1838 میلادی به روش الکترولیز به دست آمده است. بونسن وگروو توانستند لایههای نازک فلزی را به ترتیب با روش واکنش شیمیایی و پراکنش تخلیهی نورانی بدست آورند.
فارادی در سال 1857 توانست با استفاده از تبخیر حرارتی از سیمی که از آن جریان زیادی عبور میکرد، لایههای نازک فلزی بدست آورد. امروزه تکنولوژی ساخت لایههای نازک بسیار گسترده شده و هم اکنون ساخت لایههای نازک به سمت فناوری نانو سوق داده میشود [11،12].
2-3 تقسیم بندی لایهها از نظر ضخامت
اصولاً لایهها و پوششها از نقطه نظر ضخامت به چهار گروه تقسیم میشوند که عبارتند از:
1- لایه ضخیم که ضخامت آن در محدودهی میلی متر است.
2- لایه نازک که ضخامت آن در محدودهی میکرون میباشد.
3- لایه خیلی نازک که ضخامت آن در محدودهی نانومتر است.
4- مونو لایه که ضخامت آن در محدودهی1 تا 01/0 آنگستروم است.
2-4 تقسیم بندی لایهها براساس رسانایی
بر اساس رسانایی میتوان لایهها را به سه دسته عمده تقسیم کرد که عبارتند از:
1- لایههای رسانا: در این نوع لایهها از مواد رسانا به عنوان ماده انباشت استفاده میشود. لایههای رسانا دارای هدایت الکتریکی و گرمایی زیاد هستند و همچنین جلا و شفافیّت خاص خود را دارند. از این لایهها در ساخت اتصالات الکتریکی، نوارهای نازک در مدارهای مایکروویو و بعضی از قطعات الکتریکی دیگر استفاده میشود.
2- لایههای عایق یا دی الکتریک: این مواد در باند هدایتشان در حالت عادی هیچ الکترونی ندارند و از لحاظ الکتریکی نارسانا هستند و به عنوان عایق جداسازی فلزات از یکدیگر یا فلزات از نیمه رساناها استفاده میشود.
3- لایههای نیمه رسانا: از این لایهها در ساخت بعضی قطعات الکترونیکی مانند یکسو کنندههای الکتریکی استفاده میشود.
2-5 عوامل مؤثر در کیفیت لایههای نازک
عواملی که در کیفیت لایههای نازک مانند یکنواختی ضخامت لایه، عدم وجود ترک در سطح لایه و خلوص لایه مؤثر هستند عبارتند از:
1- نوع خلاء: با افزایش میزان خلاء، گذار از حالت جامد به بخار در دمای پایین امکان پذیر میشود و همچنین افزایش میزان خلاء باعث تخلیهی دستگاه خلاء شده و خلوص لایه را بیشتر میکند.
2- سرعت لایهنشانی: زیاد بودن سرعت لایهنشانی باعث میشود که در زمان کم ضخامت زیر لایه به شدت افزایش یابد و کم بودن سرعت لایهنشانی باعث میشود که سطح زیر لایه یکنواخت نشود بنابراین با توجه به ضخامت مورد نیاز باید سرعت لایهنشانی مناسبی را انتخاب کرد.
3- دمای زیر لایه: با توجه به جنس ماده لایهنشانی و اتاقک خلاء باید دمای مناسب اتاقک و زیر لایه را تنظیم کرد.
4- ساختار زیر لایه: جنس زیرلایه و شکل سطح زیر لایه و اندازه زیرلایه در کیفیت زیرلایه تاًثیر دارد.
5- تطابق بین لایه و زیرلایه: جنس زیر لایه باید طوری باشد که ضریب انبساط سطحی آن با ضریب انبساط سطحی لایه تقریبأ برابر باشد تا هنگام گرم و سرد شدن در سطح آن ترک ایجاد نشود.
6- تمیز بودن وسایل مورد استفاده از جمله زیر لایه
7- خالص بودن ماده لایهنشانی: خلوص ماده لایهنشانی و ایجاد شرایط فوق باعث ایجاد لایه خالص و یکنواخت میشود [12].
2-6 فرایندهای لایهنشانی
دو نوع فرایند اساسی برای لایهنشانی مورد استفاده قرار میگیرد که عبارتند از روشهای فیزیکی (PVD) و روشهای شیمیایی (CVD) که ما در اینجا فقط نوع تبخیر فیزیکی را توضیح میدهیم.
2-6-1 فرایند تبخیر فیزیکی
سیستم فرایند تبخیر فیزیکی(PVD) از کارایی بسیار بالایی برخوردار بوده و دامنه وسیعی از متغیرها را در برمیگیرد که برخی از آنها شامل واکنشهای شیمیایی نیز میباشد از این فرایند برای تولید رسوب هایی از فلزات خالص، آلیاژها، ترکیبات و سرامیکها بر روی تقریباً انواع مختلف زیر لایهها با شکلهای مختلف استفاده میشود. سرعت تشکیل پوشش در این روش تا 50 میکرون در دقیقه می رسد. دامنه کاربرد این روش در تمام زمینههای صنعتی و تکنولوژی برای ایجاد خواص سطحی مانند خواص الکتریکی، نوری، مکانیکی، شیمیایی و… میباشد. در این روش انرژی گرمایی به وسیلهی عبور جریان الکتریکی از درون المنت ظرف مخصوص حاوی ماده، به اتمهای ماده داده میشود تا دمای آن به اندازه کافی افزایش یابد و بتواند عمل تبخیر یا تصعید را انجام دهد. میتوان با تغییر جریان اندازه گرما وسرعت تبخیر را کنترل کرد. از مزایای این روش سرعت بالای لایهنشانی ، سادگی و کاربرد نسبتاً آسان آن میباشد. ظرف مخصوص ذوب فلز (بوته) مطابق شکل2-2 به شکل فنجانهای استوانه ایاز جنس اکسیدها، پی رولیتیک،گرافیت و فلزات دیر گداز مانند ایریدیم میباشد و با سیم تنگستن خارجی گرم میشود. از این روش در لایهنشانی مواد رسانا برای مدارهای الکتریکی و تجهیزات الکترونیکی و اپتیکی استفاده میشود. در روش تبخیر فیزیکی تهیه یک محیط با شرایط خلاء بالا بسیار لازم است زیرا مواد گرم شده در این شرایط در دمای پایین میتواند گذار از حالت جامد به حالت گاز داشته باشد و این خلاء بالا از واکنش مواد با هوا یا ذرات دیگر جلوگیری میکند. فشار اولیهی مورد نیاز در این روش تا تور میباشد.

محدودیتها
1- کیفیت تصویر سطوح تخت، نظیر نمونههایی که پولیش و حکاکی متالوگرافی شدهاند، معمولاً در بزرگنمایی کمتر از 300 تا 400 ، برابر به خوبی میکروسکوپ نوری نیست.
2- قدرت تفکیک حکاکی بسیار بهتر از میکروسکوپ نوری است، ولی پایین تر از میکروسکوپ الکترونی عبوری و میکروسکوپ عبوری روبشی است.
1-8-6 میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM)
در این میکروسکوپ پروب با لایهای نازک از یک ماده فرو مغناطیسی پوشانده میشود و نسبت به خواص مغناطیسی سطح نمونه حساس میباشد. اساس کار آن نیز بصورت دینامیکی یعنی تغییرات بسامد تشدید کانتی لیور اندازهگیری میشود. بسامد به ارتعاش پروب بستگی دارد که پروب به خواص مغناطیسی حساس میباشد بدین ترتیب تغییرات بسامد پردازش شده و تصویری از ساختار مغناطیسی سطح نمونه بدست میآید.
1-8-7 میکروسکوپ روبشی تونلی (STM):
میکروسکوپ روبشی تونلی (STM) دستگاهی است که برای بررسی ساختار و خواص سطوح مواد رسانا، بیولوژیک که تا حدی رسانا هستند و همچنین لایههای نازک نارسانا که روی زیرلایه رسانا لایه نشانی شدهاند، در ابعاد زیر نانومتر، بکار میرود مبنای اندازهگیری هندسه و خواص سطحی در این دستگاه بر این واقعیت استوار است که هرگاه فاصله یک سوزن تیز رسانا از یک سطح رسانا حدود چندآنگستروم باشد (متصل نشوند) و اختلاف ولتاژی به بزرگی حدود ده میلی ولت به آن اعمال شود جریان الکتریکی حدود چند نانوآمپر بین سوزن و سطح برقرار میشود. به این پدیده در اصطلاح « جریان تونل زنی » گفته میشود. این پدیده تنها در سایه مکانیک کوانتومی روی میدهد چرا که الکترونها در انتقال از سوزن به سطح و برعکس از ناحیهای میگذرند که انرژی پتانسیل الکترون از انرژی کل آن بزرگتر است (ناحیه بین سوزن و سطح). شکل زیر بطور نمادین اجزای اصلی دستگاه STM را نشان میدهد.

شکل 1-13 نمایش نمادین اجزای اصلی واصول عملکرد دستگاه STM
اصول کلی کار STM بدین صورت است که یک سوزن بسیار ظریف و نوک تیز رسانا به یک بازوی پیزوالکتریک متصل شده است. به منظور تنظیم مکان سوزن نسبت به سطح نمونه مورد بررسی با اعمال اختلاف ولتاژهای مناسب به پیزوالکتریکوها ها در راستاهایZ ,y ,x سوزن را به هر نقطه دلخواه از فضای سه بعدی، با دقت آنگستروم، میتوان منتقل کرد. برای تهیه نقشه خصوصیات یک ناحیه از سطح سوزن به بالای تک تک نقاط سطح منتقل میشود (به اینکار در اصطلاح « روبش سطحی » گفته میشود). در این حالت در یک ارتفاع معین اختلاف ولتاژ خاصی بین سطح نمونه و سوزن رسانا اعمال میشود و جریان الکتریکی تونلی اندازهگیری میشود. اندازه این جریان تابعی از جنس سطح، هندسه سطح، فاصله سوزن از سطح و اختلاف ولتاژ اعمال شده میباشد. روشهای مستقیم STM در تعیین مشخصات سطوح در دماهای پایین و در ولتاژهای معمولی ارتباط بین جریان تونلی و مشخصات سوزن و فاصله بین آنها بصورت IT=F(V) ×exp(-2kz) میباشد که ارتفاع سوزن از سطح ثابت نمایی تابعی از »تابع کار« سوزن و سطح و F تابعی از چگالی حالات انرژی الکترونهای سطح است. در صورتی که جنس سطح و چگالی حالات انرژی الکترونها در نقاط مختلف سطح یکسان باشد این روش فرآیند مطمئنی برای تعیین توپوگرافی هندسی سطح مواد، با دقت آنگستروم، محسوب میشود. از طرفی با توجه به فرض یکسان بودن جنس سطح (چگالی حالات انرژی الکترونها) در نقاط مختلف سطح مقدار جریان تونلی تنها تابعی از ارتفاع سوزن از سطح خواهد بود.
بنابراین در روبش سطحی، ثابت بودن جریان تونلی به معنی ثابت بودن ارتفاع سوزن از سطح میباشد. در نتیجه با ثبت مسیر پیزوالکتریک حین فرآیند روبش سطحی از توپوگرافی هندسی سطح مطلع میشویم.

شکل 1-14مسیر سوزن در مد جریان ثابت

شکل1-15 ساختاراتمی یک نانوتیوب تک جداره کربن توسطSTM
فصل دوم
لایه نشانی
مقدمه
فنآوری لایههای نازک، دارای قدمتی چند هزار ساله است و امروزه نیز یکی از مهمترین و پیچیدهترین شاخههای علمی و فنی جهان را به خود اختصاص داده است. در هزاران سال پیش برای تولید ورقههای نازک طلا در ساخت زیورآلات و تزئین مجسمهها از این فن آوری استفاده میکردند. همچنین در گذشتههای دور بر روی قطعات مسی لایهنشانی جیوه مرسوم بوده است. اما امروزه نانو ذرات به دلیل خواص ویژه و همچنین کاربردهای تکنولوژیکی فراوانی که دارند مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفتهاند به طوری که بخش عظیمی از پیشرفت در زندگی مدرن امروزی، مدیون توسعهی صنعت لایهنشانی میباشد. مهمتر از همه نانوذرات فلزی به دلیل خواص اپتیکی، الکترونیکی و کاتالیزوری ویژهای که دارند، کاربردهای فراوانی در صنایع مختلف از جمله صنایع نظامی، صنایع تغذیه، صنایع تزئینی، ارتباطات و الکترونیک به خود اختصاص دادهاند[11].
بطور کلی خواص فیزیکی و مورفولوژی مواد به ویژه فلزات، در حالت نانو تفاوت بسیاری با خواص آن در حالت کُپهای دارد و همچنین باز پخت لایهها در دماهای مختلف باعث تغییراتی در این خواص میشود.
برای ایجاد نانو و لایهنشانی معمولاً از دو نوع فرایند، یعنی لایهنشانی فرایند فیزیکی و لایهنشانی فرایند شیمیایی استفاده میشود که هر یک از این فرایندها به روشهای مختلفی انجام میشود در اینجا به تعدادی از این روشها اشاره میشود.
2-1تعریف لایهنشانی
لایهنشانی را میتوان به شکلهای زیر تعریف کرد:
الف) کنترل اتمها از منبع تا سطح زیر لایه را لایهنشانی میگویند.
ب) وقتی ماده را از حالت کپهای بصورت اتمها یا مولکولها یا یونهای مجزا در آوریم و با کنترل فاز بر روی سطح زیر لایه بنشانیم، پوششی ایجاد میشود که به آن لایه میگویند و به این عمل لایهنشانی گفته میشود.
2-2 تاریخچه لایههای نازک
فن آوری لایههای نازک قدمتی در حدود چهار هزار ساله دارد. از این فن آوری در دوران قدیم در صنایع دستی زرورق سازی و ساختن لایههای نازک طلا استفاده میشد. طلا بعلت انعطاف پذیری، نرمی بسیار، چکش خواری، امکان ساخت ورقههای فوق العاده نازک و زیبا از آن و همچنین مقاوم بودن در مقابل خوردگی شیمیایی مورد استفاده قرار میگرفت.

شکل 1-9 تصویر یک نوع میکروسکوپ نیروی اتمی
1-8-4 میکروسکوپ روبشی جریان تونلی
امروزه رایجترین میکروسکوپ قابل استفاده میکروسکوپ روبشی جریان تونلی میباشد که در آن از یک پروب تیز و ولتاژ بایاس بین سوزن و سطح نمونه استفاده میشود هنگامی که پروب در فاصله بسیار کم حدود چند آنگستروم از سطح قرار گیرد، الکترونها بر اساس پدیده تونل زنی از سطح به پروب یا بلعکس جریان مییابد این جریان با تغییر فاصله سوزن تا نمونه تغییر میکند و با پردازش تغییرات، تصویرسازی از سطح ایجاد میشود. این میکروسکوپ فقط برای مواد رسانا به کار میرود و به دو شکل ارتفاع ثابت و جریان ثابت طراحی میشوند.
حالت ارتفاع ثابت برای سطوح صاف استفاده میشود که در آن پروب در یک صفحهی افقی، بدون بالا و پایین شدن حرکت میکند و فاصلهی بین پروب و صفحه در اثر ناهمواریهای سطح، کم و زیاد میشود و به دنبال آن جریان تونلی نیز کم و زیاد میشود و با این تغییر جریان پس از پردازش، تصویری واضح از سطح ایجاد میشود. در حالت جریان ثابت پروب میتواند به بالا و پایین حرکت کند تا جریان تونل زنی ثابت بماند. با بالا و پایین رفتن پروب نقشه ای از سطح نمایش داده میشود.

دانلود رایگان یک نمونه متن کامل پایان نامه رشته حقوق با فرمت ورد

برای تعیین اطلاعات مغناطیسی نمونه از یک سوزنک مغناطیسی استفاده میشود. ابتدا توسط AFM غیر تماسی اطلاعات توپوگرافی سطح تعیین میشود، سپس سوزنک را تا فاصلهی معینی از سطح بالا میآورند و عملیات پیمایش را انجام میدهند. اطلاعات نیروی مغناطیسی روی سطح با تغییرات دامنه نوسان تیرک در اثر مغناطیس بین سوزنک و سطح تعیین میشود.
1-8-5 میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)
در این نوع میکروسکوپ پرتوهای الکترونی از لایه عبور نمیکنند بلکه باریکهای از الکترونها گسیل شده از تفنگ الکترونی توسط عدسیهای الکترواپتیکی کانونی شده سپس توسط منحرف کننده در پرتوهای الکترونی انحراف ایجاد کرده و سطح را جاروب میکنند (شکل 1-10) و بعد از عبور از عدسی به سطح نمونه برخورد میکنند و پس از گسیل مجدد از سطح توسط میدان الکتریکی جمع میشوند و با تقویت کننده سیگنالهای بدست آمده را در صفحه نشان میدهند. بیشتر از SEM برای تعیین مشخصهی لایههای نازک استفاده میشود در این دستگاه الکترونهای گرمایونی گسیل شده از کاتد تنگستن به سمت آند حرکت میکند و با دو عدسی جمع کننده متوالی، پرتو را بصورت یک نقطه کوچک کانونی میکنند یک جفت پیچه که در محل عدسیهای شیئی قرار دارند پرتوها را بصورت خطی بر روی سطح نمونه در سطح مستطیل شکل جاروب میکنند. معمولاً پرتوهای الکترونی دارای 30 کیلو الکترون ولت انرژی میباشند.
در میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)نیز مانند TEM، یک پرتو الکترونی به نمونه میتابد.

شکل 1-10 تصویر الکترونی روبشی سطح یک فلز با مقیاس یک میکرون اجزاء اصلی و حالت کاری یکSEM ساده

شکل 1-11 (a) طرحی از یک میکروسکوپیک الکترونی (b) شکل واقعی میکروسکوپ الکترونی

شکل1-12 نمودارشماتیکی اجزاء اصلی یک میکروسکوپ الکترونی روبشی
منبع الکترونی (تفنگ الکترونی) معمولاً از نوع انتشار ترمویونیکی فیلامان یا رشته تنگستنی است اما استفاده از منابع گسیل میدان برای قدرت تفکیک بالاتر، افزایش یافته است معمولاً الکترونها بین 1-KeV30شتاب داده میشوند. سپس دو یا سه عدسی متمرکز کننده پرتو الکترونی را کوچک میکنند، تا حدی که در موقع برخورد با نمونه قطر آن حدوداً بین nm10-2 است.
استفادههای عمومی
1- تصویرگرفتن از سطوح در بزرگنمایی 10 تا 100.000برابر با قدرت تفکیک در حد 3 تا 100 نانومتر (بسته به نمونه)
2- در صورت تجهیز به آشکارساز back scattered میکروسکوپها قادر به انجام امور زیر خواهند بود:
a) مشاهده مرزدانه، در نمونههای حکاکی نشده، b) مشاهده حوزهها، (domains) در مواد فرومغناطیس، c) ارزیابی جهت کریستالوگرافی دانهها با قطرهایی به کوچکی 2 تا 10 میکرومتر، d) تصویر نمودن فاز دوم روی سطوح حکاکی نشده (درصورتی که متوسط عدد اتمی فاز دوم، متفاوت از زمینه باشد).
3- با اصلاح مناسب میکروسکوپ میتوان از آن برای کنترل کیفیت و بررسی عیوب قطعات نیمه هادی استفاده نمود.
نمونههایی از کاربردها
1- بررسی نمونههایی متالوگرافی ، در بزرگنمایی بسیار بیشتر از میکروسکوپ نوری
2- بررسی مقاطع شکست و سطوح حکاکی عمیق، که مستلزم عمق میدانی بسیار بزرگتر از حد میکروسکوپ نوری است.
3- ارزیابی جهت کریستالوگرافی اجرایی نظیر دانهها، فازهای رسوبی و دندریتها بر روی سطوح آماده شده برای کریستالوگرافی
4- شناسایی مشخصات شیمیایی اجزایی به کوچکی چند میکرون روی سطح نمونهها، برای مثال، آخالها، فازهای رسوبی و پلیسههای سایش
5- ارزیابی گرادیان ترکیب شیمیایی روی سطح نمونهها در فاصلهای به کوچکی μm 1
6- بررسی قطعات نیمههادی برای آنالیز شکست، کنترل عملکرد و تأیید طراحی نمونهها

شکل 1-5تصویر (a)یک قطعه پیزوالکتریک (b)پروب (سوزن)

دانلود رایگان یک نمونه متن کامل پایان نامه رشته روانشناسی و علوم تربیتی با فرمت ورد

1-8-2 میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)
در این نوع میکروسکوپ از عدسیهای الکتروستاتیکی استفاده میشود که کار بزرگنمایی و تمرکز الکترونی را انجام می دهد. با توجه به شکل 1-6 در این میکروسکوپ، الکترونها از کاتد گسیل میشوند و توسط آند شتاب میگیرند و توسط عدسی الکترواپتیکی روی نمونه متمرکز میشوند سپس امواج الکترونی از نمونه عبور کرده و توسط عدسیهای اپتیکی تصویر بزرگتری را ایجاد میکند و بر روی پرده نشان میدهد. این میکروسکوپ برای کسب اطلاعات ساختاری از نمونههایی که به اندازهی کافی نازک هستند تا الکترون از آن بگذرد استفاده میشود. دو حالت اصلی (TEM) عبارتند از تفکیک پرتو و تصویر سازی. در این دستگاه الکترونهای گسیل شده از تفنگ گرمایونی، تا100 کیلو الکترون ولت و گاهی تا یک مگا الکترون ولت شتاب داده میشود و توسط عدسیهای جمع کننده دستگاه به نمونه تابانده میشوند. مراحلی که الکترون در عبور از درون نمونه تحمّل میکند، بصورت اطلاعات کسب شده نشان داده میشود.
خواص مواد نانوساختاری به شکل و اندازه آنها بستگی دارد و از این رو مطالعه پیرامون شکل، اندازه و آرایش مواد نانوساختاری ضروری است. روشهای مختلفی برای تعیین شکل و اندازه ذرات به کار میرود که از جمله آنها میتوان به (AFM) میکروسکوپ نیروی اتمی و مانند آن اشاره کرد. برخی طیف سنجی نوری عبوری، پراش اشعه، اندازه X از این روشها شکل و اندازه ذرات را به طور مستقیم به دست نمیدهند.
روشهای مورد استفاده در میکروسکوپ الکترونی عبوری برای بررسی ویژگیهای مواد عبارتند از:
تصویربرداری (میدان تاریک و میدان روشن)
پراش الکترون
پراش الکترون با باریکه واگرا(SAD)
تصویربرداری Phase-Contrastدر HRTEM
تصویربرداری Z-Contrast
طیف نگاری پاشندگی انرژی اشعه (EDS) X
طیف نگاری اتلاف انرژی الکترون (EBLS) [7،8].

شکل 1-6 طرحی ازیک میکروسکوپیک الکترونی
1-8-3 میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM)
دستگاهی است که برای بررسی خواص و ساختار سطحی مواد در ابعاد نانومتر بکار میرود این دستگاه میتواند از سیگنالهای متعددی استفاده کند و در محیط خلاء و مایع نیز میتواند کار کند. بر خلاف اکثر روشهای بررسی خواص سطوح، در این روش غالباً محدودیت اساسی بر روی نوع سطح و محیط آن وجود ندارد. امکان بررسی سطوح رسانا یا عایق، نرم یا سخت، منسجم یا پودری، بیولوژیک و آلی یا غیر آلی وجود دارد. میتوان ویژگیهایی مانند: اصطکاک، مورفولوژی سطح، توزیع چسبندگی، ناخالصی سطح، جنس نقاط مختلف سطح، خاصیت کشسانی، خاصیت مغناطیسی، بزرگی پیوندهای شیمیایی، توزیع بارهای الکتریکی و قطبش الکتریکی نقاط مختلف سطح را بررسی کرد. بر اساس کاربردها و نیازهای مختلف سوزنکهایی با شکلهای مختلف استفاده میشود.
شکل 1-7 بطور نمادین اجزای اصلی دستگاه AFM را نشان میدهد. هنگامی که جسم مورد نظر بر روی این دستگاه برای اسکن شدن نصب میشود و سوزن روی آن قرار میگیرد بر اثر حرکت جسم و نیروهای یونی دفع کننده که بین نوک سوزن و مسیر اسکن وجود دارد سوزن و پایه بالا و پایین میروند. مسیر لیزر بازتاب شده با بالا و پایین رفتن پایه تغییر کرده و تصویر توپوگرافی از سطح نمونه تشکیل میدهد. دقت این تصویر برداری در حد اتم است.

شکل 1-7 شماتیک اصول عملکردAFM
نحوه عملکردAFM:
اصول کلی کار AFM بدین صورت است که یک سوزن 2 بسیار تیز و ظریف به نوک یک شیء باقابلیت ارتجاع به نام تیرک وصل شده و سر دیگر تیرک به یک بازوی پیزو الکتریک متصل شده است. پشت لرزانک با یک لایه نازک از فلز، برای بهبود انعکاس باریکه لیزر از آن، روکش شده است. انعکاس باریکه لیزر به منظور آگاهی از جهتگیری تیرک در فضا میباشد. با اعمال اختلاف ولتاژهای مناسب به پیزو الکتریک در راستاهای x، y وZ محل اتصال تیرک به پیزوالکتریک را میتوان به هر نقطه دلخواه از فضای سه بعدی، با دقت آنگستروم، منتقل کرد.
با تغییر پیوسته اختلاف ولتاژهای اعمال شده به پیزوالکتریک، سوزن سطح نمونه را جاروب میکند و با مکانیزم یاد شده موقعیت تک تک نقاط سطح معین میشود و نتیجه در نمایشگر یک کامپیوتر، بصورت یک سطح سه بعدی رسم میشود. در شکل زیر عکس سه بعدی جالبی بعنوان مثال آورده شده است.

شکل 1-8 ساختار هندسه سه بعدی واحدهای حافظه CD تهیه شده توسط AFM(هرواحدافقی نمودار 250 نانومتر ودرجه عمودی 75 نانومتر)
AFM تماسی: نوک سوزنک با سطح نمونه تماس پیدا میکند در این روش از یک اهرم بسیار ظریف استفاده میشود که ثابت فنر آن بین 1 تا 01/0 نیوتن بر متر است. بنابراین نیروی به وجود آمده بین سوزنک و سطح نمونه موجب انحراف آن میگردد. نیروی بین سوزنک و سطح نمونه در حدود نیوتن است. با اندازهگیری میزان انحراف اهرم و با داشتن ثابت فنر میتوان مقدار نیروی وارده بر آن را محاسبه کرد و با توجه به ارتباط فاصله بین دو جسم به تصویر حاصل از AFM دست یافت. اگر سطح نمونه خیس باشد باید نیروی مویینگی مایع را نیز در نظر بگیریم.
AFM غیر تماسی: در برخی موارد برای جلوگیری از ایجاد تغییر در سطح و شکستن سوزن از AFM غیر تماسی استفاده میشود. در این حال فاصله بین نوک سوزن و سطح نمونه چند نانومتر میباشد. در این روش یک تیرک سخت با ثابت فنری در حدود 40 نیوتن بر متر با فرکانسی برابر با بسامد تشدید خود نوسان میکند. با نزدیک شدن سوزنک به سطح نمونه، نیروی جاذبه یا دافعه به سوزنک وارد شده و دامنه نوسان تیرک افزایش می یابد.

شکل 1-1 دستهبندی کلی روشها و آنالیز مواد
از روشهای شناسایی مواد، تحت عنوان آنالیز ریزساختاری آنالیز سطح و آنالیز حرارتی معرفی شدهاند. منظور از آنالیز یا شناسایی ریزساختاری، همان شناسایی میکروسکوپی است. در این حالت، شکل، اندازه و توزیع فازها بررسی میشود. باید توجه داشت که در ویژگیهای یک نمونه، نه تنها نوع فازها، بلکه شکل، اندازه و توزیع آنها نیز اثر گذار هستند. در اصل، سطح مواد جامد به خاطر ارتباط با محیط اطراف، وضعیت شیمیایی یکسانی با حجم نمونه ندارد. از طرف دیگر در بسیاری از کاربردها، سطح نمونه نقش مهمتری را بازی میکند. به عنوان مثال، در کاتالیزورها یا آسترهای ضد خوردگی، واکنش سطح با عوامل محیطی، تعیین کننده است. نکته قابل توجه دیگر، آن است که ترکیب شیمیایی در سطح با بدنه تفاوت دارد. بنابراین با تعیین آنالیز شیمیایی کل نمونه، نمیتوان در مورد آنالیز سطح قضاوت کرد آنالیز حرارتی در شناسایی فازی عمل می کنند این روشها، اطلاعات بسیار مفیدی از رفتار حرارتی مواد در اختیار پژوهشگران میگذارند. از این رو، نه تنها برای شناسایی آنها، بلکه در طراحیهای مهندسی نیز استفاده میشوند. و نیز به ویژه در رشته سرامیک کاربرد دارد و اهمیت آن به دلیل ساخت مواد جدید، روز افزون است.
1- 5 سوزنها
بسته به مد مورد استفادهی AFM و خاصیت مورد اندازهگیری از سوزنهای مختلفی استفاده میشود. زمانی که فرایند اندازهگیری مستلزم وارد کردن نیروهایی فوق العاده زیاد از جانب سوزن به سطح باشد از سوزنهای الماسی استفاده میشود. همچنین سوزنهای با روکشهای الماس گونه برای این منظور مورد استفاده قرار میگیرند. به عنوان مثال در ایجاد نانو خراشها با نیروهایی به بزرگی N سرو کار داریم (این در حالیست که در مد تماسی نیروی وارد بر سطح N میباشد) و باید از این نوع سوزنها استفاده کنیم. پارامترهای هندسی سوزن که نوع کارایی سوزن و میزان دقت نتایج بدست آمده را تعیین میکنند عبارتند از شکل، بلندی، نازکی (زاویه راس هرم فرضی منطبق بر نواحی نوک)، تیز ی (شعاع دایره فرضی منطبق بر نوک).

دانلود رایگان یک نمونه متن کامل پایان نامه رشته مدیریت با فرمت ورد

شکل 1-2 انواع شکلهای سوزن شامل نوک تخت، نوک کروی، نوک T شکل و نوک تیز
سوزنهای T شکل برای نقشهبرداری و آشکارسازی فرورفتگیهای موجود در بخشهای دیواره مانند سطح نمونه به کار میروند. این در حالی است که سوزنهای نوک تیز این قابلیت را ندارند.
1-6 نحوه بر هم کنش سوزن با سطح
شکل 1-3 به طور نمادین بزرگی و تغییرات نیروی بین سوزن و سطح را در فواصل مختلف سوزن از سطح نشان میدهد. جهت فلشها نشان دهنده نزدیک شدن (رفت) یا دور شدن (برگشت) سوزن نسبت به سطح میباشد.

شکل 1-3سمت چپ: نمایش نمادین بزرگی تغییرات نیروی بین سوزن و سطح در فواصل مختلف سوزن از سطح سمت راست: انحراف تیرک حین رفت و برگشت در نواحی مختلف فاصله از سطح (نیروی جاذبه یا دافعه).
نکته:
باید حین فرآیند جاروب سطحی فاصله سوزن از سطح در محدوده مناسبی باقی بماند. چرا که از یک طرف فاصله زیاد (در این نواحی نیروی جاذبه است) موجب کم شدن میزان انحراف لرزانک و کاهش نسبت سیگنال به نویز در تعیین مولفه Z مکان سطح میشود. از طرف دیگر فاصله بسیار نزدیک موجب وارد شدن نیروی زیاد به سطح میشود که علاوه بر آسیب زدن به ساختار سطح و سوزن موجب کاهش درجه تفکیک خواهد شد.
1-7مدهای تماسی
مطابق تعریف به ناحیهای ” ناحیه تماس ” میگویند که نیروی بین سوزن و سطح دافعه باشد. در مقایسه با مدهای دیگر نیروی وارد شده به سطح در مدهای تماسی بزرگتر است. از طرفی به دلیل تماس پیوسته سوزن با سطح حین فرآیند روبش نیروهای اصطکاک قابل توجهی (علاوه بر نیروی عمودی) به سطح و سوزن وارد میشود که موجب آسیب دیدگی سطوح حساس و کند شدن سوزن میگردد.

شکل 1-4 مقایسه نمادین بین حالت تماسی و حالت غیرتماسی
بر این اساس مطالعه سطوح حساس و نرم با مدهای تماسی قدرت تفکیک اندازهگیری را کاهش میدهد و بعضاً باعث بروز خطای سیستماتیک در نتایج میشود. در عین حال بیشترین قدرت تفکیک و دقت اندازهگیری با AFM مربوط به بررسی سطوح سخت با سوزنهای نازک و فوق تیز و سخت در مد تماسی میباشد.
1-8 میکروسکوپ گمانهی روبشیSPM
میکروسکوپ گمانهی روبشی (SPM) مانند میکروسکوپ نیروی اتمی(AFM) در شناسایی مواد بسیار مهم است. در رابطههای آلی و غیر آلی بکار برده شده است (مرطوب وخشک). برای مثال در صنعت نیمه رساناها، SPM برای آزمایش روش پاک سازی مادهی نیمه هادی تک بلوری، در ثبت، پوشاندن پوشش نمونه، حک کردن، رسوب گذاری نمونه با برش عمودی سطح و شکست فیلمها بکار میرود. و نیز در کشف نقص (ترک)، تحلیل شکست و کاربردهای زیست مواد بکار میرود و نیز میتواند در تصاویر سه بعدی سطح توپوگرافی نمونه زیستی محلول یا گاز محیط در یک محدودهای معیین از دما محدود شده است باشد. بر خلاف میکروسکوپ الکترونی نمونهها نیاز به روکش آلائیده شده یا منجمد ندارند. تفکیک سطح جانبی در حد nm 1بدست آمده در نمونههای زیستی انجام میشود همانند مولکولهای DΝA. جذب سطحی سلولهای زنده مشاهده شده روی زیست موادها میتوانند مشاهده بشوند. SPM قادر است غشای زیر مایع نمونه را نشان داده و فعل و انفعالات بین غشای روی سطح را بررسی کند. افزون بر این به تفکیک بالای برش عمودی (مقطع عرضی) مورفولوژی سطح و نانوساختارها نیز میپردازد. SPM با محدودههای مُجازی از ویژگیهای مواد و ترکیب سطح نقشهبرداری شده در نمونههای ناهمگن کاربرد دارد [10-7].
1-8-1میکروسکوپهای پروبی- روبشی
این میکروسکوپها دارای یک پروپ شبیه سوزن برای روبش (جاروب کردن) سطح نمونه میباشد که بصورت نقطه به نقطه سطح نمونه را جاروب میکند و با اندازهگیری و پردازش سیگنالها توسط رایانه تصویر سه بعدی از سطح ایجاد میکند.
این میکروسکوپ نسبت به میکروسکوپهای الکترونی دارای مزایایی است که عبارتند از: بزرگنمایی بیشتر، قدرت تفکیک بالاتر، توانایی ایجاد تصویر سه بعدی، امکان جابجایی اتمها، عدم نیاز به خلاء.
اساس کار این نوع میکروسکوپها استفاده از مواد پیزوالکتریک است که با اعمال ولتاژ به بلورهای پیزوالکتریک طول آن تغییر میکند این تغییر طول متناسب با جهت و اندازه میباشد که توسط سوزنی که به یک نگهدارنده به نام کانتی لیور متصل است مشخص میشود (شکل 1-5). سوزن آن نقطه به نقطه سطح را جاروب میکند و پس از پردازش سیگنالها، نتایج روی نمایشگر نشان داده میشوند در این میکروسکوپ برای نمایش سه بعدی سطح از سه میله عمود بر هم در سه جهت استفاده میشود تا تصاویر سه بعدی تشکیل شوند. در میکروسکوپهای روبشی جدید به جای استفاده از سه سوزن عمود بر هم از یک استوانه تو خالی از جنس پیزوالکتریک استفاده میکنند که سطح داخلی با لایه نازکی از یک رسانای فلزی پوشیده میشود و با تغییر ولتاژ سوزن در سه جهت جابجا میشود.

شکل 4-8 نمایش تغییرات پروفایل دادههای تصاویر نانو ذرات مگهمایت در دماهای℃ 400، ℃ 500، ℃600 62

فهرست جدولها
جدول 1-1 طبقهبندی تجهیزات شناسایی بر مبنای خاصیت فیزیکی مورد اندازهگیری 6

فصل اول
طبقهبندی روشهای تعیین مشخصات مواد براساس نحوه عملکرد
طبقهبندی روشهای تعیین مشخصات مواد براساس نحوه عملکرد[4-1].
مقدمه:
پیشرفتهای اخیر در فناوری نانو مربوط به تواناییهای جدید در زمینه اندازهگیری و کنترل ساختارهای منفرد در مقیاس نانو میباشد.
در علوم مختلف مهندسی، موضوع اندازهگیری و تعیین مشخصات از اهمیت کلیدی برخوردار است به طوری که ویژگیهای فیزیکی و شیمیایی مواد، به مواد اولیهی مورد استفاده و همچنین ریزساختار یا ساختار میکروسکوپی به دست آمده از فرایند ساخت بستگی دارد.
به عنوان مثال برای شناسایی مواد ، بدیهی است که نوع و مقدار ناخالصیها، شکل و توزیع اندازه ذرات، ساختار بلورین و مانند آن در ماهیت و مرغوبیت محصول اثر دارند.
در ضمن برای مطالعه ریزساختارها، نیاز بیشتری به ابزارهای شناسایی و آنالیز وجود دارد. در ریزساختار یا ساختار میکروسکوپی مواد، باید نوع فازها، شکل، اندازه، مقدار و توزیع آنها را بررسی کرد. در ادامه با توجه به اهمیت دستگاهها و روشهای اندازهگیری و تعیین مشخصات به طبقهبندی این روشها پرداخته میشود.
1-1 روشهای میکروسکوپی
با استفاده از روشهای میکروسکوپی تصاویری با بزرگنمایی بسیار بالا از ماده بدست میآید. قدرت تفکیک تصاویر میکروسکوپی با توجه به کمترین قدرت تمرکز اشعه محدود میشود. به عنوان مثال با استفاده از میکروسکوپهای نوری با قدرت تفکیکی در حدود 1 میکرومتر و با استفاده از میکروسکوپهای الکترونی، و یونی با قدرت تفکیک بالا در حدود یک آنگسترم قابل دسترسی است. این روشها شامل TEM، AFM ، SEM ، STM میباشد[6،5].
1-2 روشهای براساس پراش
پراش یکی از خصوصیات تابش الکترومغناطیسی میباشد که باعث میشود تابش الکترومغناطیس در حین عبور از یک روزنه و یا لبه منحرف شود. با کاهش ابعاد روزنه به سمت طول موج اشعه الکترومغناطیسی اثرات پراش اشعه بیشتر خواهد شد. با استفاده از پراش اشعه ایکس، الکترونها و یا نوترونها و اثر برخورد آنها با ماده میتوان ابعاد کریستالی مواد را اندازهگیری کرد. الکترونها و نوترونها نیز خواص موجی دارند که طول موج آن به انرژی آنها بستگی دارد. علاوه بر این هر کدام از این روشها خصوصیات متفاوتی دارند. مثلا عمق نفوذ این سه روش در ماده به ترتیب زیر میباشد. نوترون از اشعه ایکس بیشتر و اشعه ایکس از الکترون بیشتر میباشد.
1-3 روشهای طیف سنجی
استفاده از جذب، نشر و یا پراش امواج الکترومغناطیس توسط اتمها و یا مولکولها را طیف سنجی گویند. برخورد یک تابش با ماده میتواند منجر به تغییر جهت تابش و یا تغییر در سطوح انرژی اتمها و یا مولکولها شود، انتقال از تراز بالای انرژی به تراز پایینتر، نشر و انتقال از تراز پایین انرژی به تراز بالاتر، جذب نامیده میشود. تغییر جهت تابش در اثر برخورد با ماده نیز منجر به پراش تابش میشود.
طیف سنجی جرمی
روشهای طیف سنجی جرمی از تفاوت نسبت جرم به بار اتمها و یا مولکولها استفاده میکنند. عملکرد عمومی یک طیف سنجی جرمی بصورت زیر است:
1 – تولید یونهای گازی
2 – جداسازی یونها براساس نسبت جرم به بار
3 – اندازهگیری مقدار یونها با نسبت جرم به بار ثابت
1-4 روشهای جداسازی
در نمونههایی که حاوی چند جز نا شناخته باشد، ابتدا باید از هم جدا شده و سپس اجزا توسط روشهای آنالیز مشخص میشود. جداسازی براساس تفاوت در خصوصیات فیزیکی و شیمیایی صورت میگیرد. به عنوان مثال حالت ماده، چگالی و اندازه از خصوصیات فیزیکی مورد استفاده و حلالیت نقطه جوش و فشار بخار از خواص شیمیایی مورد استفاده در جداسازی میباشد.
جدول 1-1 طبقهبندی تجهیزات شناسایی بر مبنای خاصیت فیزیکی مورد اندازهگیری

نمودار رادار:
((از این نمودار برای مقایسهی کل به کل و یا مقایسهی مقادیری که وابستگی به یکدیگر ندارند استفاده میشود)).
4-2-8 رسم نمودار دادههای مربوط به جزئیات
برای نشان داده نحوهی رفتار پروفایلهای سه تصویر در جزئیات از نمودار انباشته استفاده میکنیم:

شکل 4-5 مقایسه جزئیات مرتبه 1 تصاویر SEM لایههای نازک مگهمایت در دماهای ℃ 400، ℃ 500، ℃600

شکل 4-6 مقایسه جزئیاتمرتبه 2 تصاویرSEM لایههای نازک مگهمایت در دماهای ℃ 400،℃ 500،℃600

شکل 4-7 مقایسه جزئیات مرتبه 3 تصاویر SEM لایههای نازک مگهمایت در دماهای℃ 400،℃ 500،℃600
به وضوح دیده میشود که نمودار مربوط به دمای 600 درجه سانتیگراد بیشترین مقدار ضرائب موجک و بعد از آن بترتیب 500 و400 درجه سانتیگراد قرار دارند. اما میزان تغییرات ضرائب موجک در نمودار 400 درجه سانتیگراد بیشتر است. تنها این مسئله در صورتی ممکن است که اندازهی ذرات با افزایش دما بزرگتر شده باشد [29].
4-2-9 رسم نمودار تقریب مرتبه سوم
یکی از مقادیر خروجی از اعمال تبدیلات موجک تقریب سیگنال اصلی است، که نمایش جامعی از دادهها را به ما میدهد؛ البته این موضوع منوط به استفادهی صحیح از مرحله تجزیه و مرتبه تقریب آن است.
نمودار “رادار” بهترین روش نمایش تغییرات پروفایل دادههای تصاویر است که مقادیر نسبی را با یک نقطهی مرکزی میسنجد.

شکل 4-8 نمایش تغییرات پروفایل ضرایب موجک دادههای تصاویرلایههای نازک مگهمایت در دماهای℃ 400، ℃ 500، ℃600
آنچه که به وضوح دیده میشود ، بشترین “بازهی تغییرات ضرائب موجک” مربوط به تصویر با دمای400 درجه سانتیگراد، و سپس 500 درجه سانتیگراد و کمترین بازه تغییرات مربوط به 600 درجه سانتیگراد است. با توجه به شکل بالا هر چه نمودار به نقطه مرکزی رادار نزدیکتر شود جزئیات مربوط به سیگنال تصویر بیشتر شده و نموداری که بیشترین فاصله از مرکز رادار را دارد (نمودار400درجه سانتیگراد) دارای کمترین جزئیات سیگنال است. با افزایش دما میبایست اندازه ذرات بزرگتر شده باشد و یا بهتر است بگوییم جزئیات تصویر افزایش یافته است که این افزایش جزئیات بیانگر افزایش لبهها و نهایتا افزایش لبهها بیانگر عبور از مرز یک ذره است[29].
کاربردهایی هم که در رابطه با آن میتوان آورد اینکه در کشف و شناسایی نقایص (ترک) سیگنال ، تشخیص نقاط ناپیوستگی موجود در سیگنال ، تشخیص اصوات از فواصل بسیار دور از طریق بازیابی مولفههای فرکانسی مربوط به سیگنال میباشد. از جمله اهم کاربردهای آن میتوان به تشخیص اثر انگشت و شناسایی اشخاص و همچنین در کد گذاری دادهها جهت رمز گشایی از طریق فشرده سازی دادهها و بازیابی مولفه فرکانسی سیگنال در سیستمهای امنیتی اشاره کرد و حتی نیز نقش مهمی در اثر انگشت و تشخیص هویت افراد میتواند داشته باشد[30].
نتیجهگیری :
روند مرحله تجزیه و مرتبه تقریب را برای هر سه تصاویر لایه نازک مگهمایت در دماهای400،500،600 درجه سانتیگراد انجام دادیم. سپس با اعمال تبدیل موجک به عنوان ابزار سنجش و ضرایب آن به عنوان پارامترهای مقیاس دادههای تصاویر را با استفاده از نرم افزار متلب بدست آوردیم.
دادهها شامل جزئیات مرتبه اول، دوم، سوم و همچنین شامل تقریب از پروفایل نماینده است. آنچه که تحلیل اولیه داده نشان آن است که با افزایش دما میبایست اندازه ذرات بزرگتر شده باشد و یا بهتر است بگوییم جزئیات تصویر افزایش یافته است که این افزایش جزئیات بیانگر افزایش لبهها و نهایتا افزایش لبهها بیانگر عبور از مرز یک ذره است. یعنی تصاویر مربوط به دماهای 600 و 400 درجه سانتیگراد به ترتیب دارای بیشترین و کمترین جزئیات سیگنال است. با توجه به اینکه نمونه 400 درجه سانتیگراد در نمودار رادار نزدیکترین فاصله از مرکز رادار را دارد دارای کمترین جزئیات سیگنال است و به عکس. در یک پروفایل که انبوه کاتورهای ذرات را نیز داریم، این تغییرات با کاهش اندازه ذرات افزایش خواهد یافت.

برای بیان تغییرات یک سیستم و مقایسه ی آن با سیستمی دیگر پارامتری هست که باید هر دو را با آن سنجید و حاصل سنجش را با هم مقایسه نمود، که به آن “پارامتر مقیاس” می گویند.
4-2-2 انتخاب تبدیلات موجک

دانلود رایگان یک نمونه متن کامل پایان نامه رشته روانشناسی و علوم تربیتی با فرمت ورد

حال اگر بجای یک سیستم فیزیکی، تصویری از ذرات آن سیستم تحت شرایط مختلف را داشته باشیم، میبایست اولا پارامتر مقیاس درستی را تعریف کنیم، ثانیا نحوهی استفاده از آن پارامتر مقیاس و دادههای حاصل، به عنوان نتایج نهایی به گونهای باشد که سنجش را به درستی و قابل مقایسه بیان کند. یکی از بهترین ابزارها در زمینه مقایسهی تصاویر استفاده از تبدیلات موجک میباشد. در تحقیق پیش روی از موجک مادر Daubechies در مرتبه 5 (db5)، تراز 3 استفاده شده است.
4-2-3 ویژگی خانوادهی تبدیلات موجک
موجکها خانوادهای با اعضا و خصوصیات منحصر به هر عضو به همراه پارامترهای متغیر هستند، که با توجه به مرتبهی آنها در تقریب و استخراج جزئیات و مرتبهی تجزیه از اهمیت بالایی برخوردار است. این تبدیلات دارای توان سنجش تک بعدی (پروفایلهای تک بعدی)، دوبعدی (تصاویر)، و سه بعدی میباشند.
4-2-4 پروفایل نماینده
آنچه که ما در مراحل داده سنجی انجام دادهایم، تجزیهی رشته به رشتهی پروفایلهای تصاویر و استخراج جزئیات و همچنین تجزیه، تقریب و استخراج جزئیات تبدیل پروفایل میانگین تمامی ستونها به عنوان “پروفایل میانگین” یا “نماینده” هر تصویر است. اما سوال مهم اینجاست که آیا میتوان از پروفایل میانگین به عنوان دربردارندهی خصوصیات مجموعهی تمامی پروفایلهای یک تصویر استفاده نمود؟ بهتر است ابتدا یک یادآوری از علّت استفادهی ما از تبدیلات موجک و کاربرد آن در پردازش تصاویر داشته باشیم؛ تبدیلات موجک به عنوان یک غربالگر مکانی، اطلاعات پروفایلها را استخراج میکند. پس حتی اگر تغییراتی در تمامی پروفایلهای تصویر مورد مطالعه داشته باشیم، این تغییر به وضوح در نتایج، نشان داده خواهد شد. در نتیجه یک تغییرکلی در تمامی پروفایلها نسبت به تصویر قبلی خواهیم داشت که عملاً این تغییرات در پروفایل میانگین نیز ظاهر خواهد شد.آنچه که از نتیجهی بحث فوق به وضوح قابل نتیجه و ارائه است، یک راه دقیقتر برای مطالعه و مقایسه تصاویر به عنوان دادههای دو بعدی معرفی پروفایل میانگین به عنوان “پروفایل نماینده” است. (البته به عنوان نمونه چند پروفایل از هر تصویر آورده شده است).
4-2-5 پردازش تصویر
روند پردازش تصویر و استخراج دادهها با استفاده از تبدیلات موجک در نرم افزار Matlab انجام گرفته است. با روند فرا خوانی تصاویر در نرم افزار آنچه که خواهیم داشت برای هر تصویر یک ماتریس با ابعاد 512˟512 است. میانگین هر ستون یک ماتریس 512˟1 به عنوان یک پروفایل نماینده بیانگر خصوصیات کل تصویر خواهد بود. این روند را برای هر سه تصویر با دماهای 400، 500 و 600 درجه سانتیگراد در پیش خواهیم گرفت. سپس با اعمال تبدیل موجک به عنوان ابزار سنجش و ضرایب آن به عنوان پارامترهای مقیاس دادههای تصاویر را بدست خواهیم آورد. دادهها شامل جزئیات مرتبهی اولD1، دومD2، سوم D3و همچنین شامل تقریبA3 از پروفایل نماینده است، شکلهای 4-2، 4-3 و 4-4.

شکل 4-2 جزئیات مرتبهی اول D1، دوم D2 ، سوم D3 و تقریب A3 از پروفایل نماینده مربوط به دمای ℃ 400

شکل 4-3 جزئیات مرتبهی اول D1، دوم D2 ، سوم D3 و تقریب A3 از پروفایل نماینده مربوط به دمای ℃ 500

شکل 4-4 جزئیات مرتبهی اول D1، دوم D2 ، سوم D3 و تقریب A3 از پروفایل نماینده مربوط به دمای ℃ 600
آنچه که تحلیل اولیه دادهها نشان میدهد آن است که با افزایش دما میبایست اندازه ذرات بزرگتر شده باشد و یا بهتر است بگوییم جزئیات تصویر افزایش یافته است که این افزایش جزئیات بیانگر افزایش لبهها و نهایتا افزایش لبهها بیانگر عبور از مرز یک ذره است؛ در یک پروفایل که انبوهی کاتورهای ذرات را نیز داریم، این تغییرات با کاهش اندازه ذرات افزایش خواهد یافت. در زیر، به منظور درک بهتر، تحلیل دادهها با استفاده از نمودار رادار مورد بررسی قرار گرفته است.
4-2-6 تحلیل دادهها با استفاده از نمودار
جهت مقایسه نمایش صحیح از نحوهی تغییرات دادههای حاصل از اعمال تبدیلات موجک میبایست از نمودارهای تحلیلی مناسب استفاده نمود.
4-2-7 معرفی نمودارها
نمودار انباشته (Stack Chart) :
((از این نمودار برای نشان دادن اثر عنصرهای دادههای متعدد بر روی یک عنصر گرافیکی منفرد مورد استفاده قرار میگیرد. این نمودار با سه حالت انباشته کم، نزدیک و زیاد به مقدار واقعی نشان داده میشود. همچنین میتوان مقدار و حجم آن را در یک عنصر گرافیکی منفرد نشان داد)).

که در آنها به ترتیب [k]lowY، [k] higt Y خروجیهای صافی پایین گذر و بالاگذرند تبدیل موجک در واقع یک نوع تبدیل فوریهی زمان کوتاه با طول پنجرهی متغیر است ، بطوری که دارای قدرت تفکیک بهتری نسبت به تبدیل فوریهی زمان کوتاه است و مشکل تبدیل فوریهی زمان کوتاه را هم ندارد در شکل 3-4 نمایشی از قدرت تفکیک زمان و بسامد در حالتهای نمایش زمانی ، بسامدی، فوریهی زمان کوتاه و تبدیل موجک آورده شده است.

شکل 3-10 نمایشی از قدرت تفکیک زمان و بسامد.
الف) نمایش سیگنال در حوزه زمان ، هیچگونه تفکیک بسامدی نمیتوان داشت. ب) حوزه فوریه، دقت تفکیک زمانی صفر است. ج) نمایش سیگنال با استفاده از تبدیل فوریهی زمان کوتاه، آنالیز زمان و بسامد سیگنال را داریم ولی دقت تفکیک زمان و بسامد در همهی بازههای در نظر گرفته شده یکسان است. د) در حیطهی موجک ، متناسب با تغییرات بسامد بازه زمانی (یا مقیاس) نیز تغییر میکند یعنی در بسامدهای بالا طول بازه کوچکتر و در بسامدهای کم طول آن بزرگتر است[21].

فصل چهارم
نتایج و بحث مقدمه
تصاویری که توسط میکروسکوپهای گمانه روبشی (SPM) از یک سطح (مثلاً، سطح یک لایه نازک) گرفته می شوند، اغلب دارای یک نمایه غیراقلیدوسی، که معرف یک ساختار بسیار راندوم است، هستند. در چند دهه اخیر پیشرفتهای مهمی در زمینه فهم و توسعه مدلهای فیزیکی بدست آمده است. یه عنوان مثال، از تحلیل فوریه بطور گستردهای در تجزیه و تحلیل سیگنالها و تصاویر (به عنوان سیگنالهای دو بعدی) استفاده شده است [22]. اما این روش معایبی از قبیل؛ نیاز به آنالیز تمام بازه زمانی سیگنال به منظور بدست آوردن محتوای فرکانس و عدم توانایی در مشخص نمودن زمان وقوع یک فرکانس معین را دارد. از اینرو، ابزار مناسبی برای سیگنالهای نامنظم (مثلاً تصاویر) نمیباشد. سپس، برای از بین بردن معایب فوق، روش تبدیل فوریهی پنجرهای ابداع گردید. در این روش تحلیل سیگنال در بازه زمانی که به آن پنجره گفته میشود صورت میگیرد، و تحلیل نیز بصورت محلی انجام میگیرد. ولی، عیب آن این است که عرض پنجره ثابت بوده و قابل تغییر نیست و برای کل دامنه سیگنال این عرض ثابت است [23]. در عوض، نظریه تبدیل موجکی جایگزینی کارآمد برای نظریههای فوق در بسیاری از کاربردهای مختلف است. موجکها این توانایی را فراهم میآورند که پایههای متعامد در فضای دوبعدی داشته باشیم. بعلاوه، بر خلاف تبدیلات فوریه، در حوزههای زمان و فرکانس محلی می شوند و میتوان اطلاعات موضعی دقیقی را از سیگنال استخراج کرد. بنابراین بکارگیری تبدیل موجک در مواردی که سیگنال، یا تصویر به عنوان سیگنالی دو بعدی، دارای مشخصات غیر مانا با مولفههای فرکانس بالا است (مثلاً وجود قله یا جهش در سیگنال) بسیار مناسبتر از فوریه عمل میکند [27-24].
4 -1 مواد و روش ساخت
4 -1-1 مواد آزمایش :
موادی که، در ادامه یک کار قبلی [28]، در این آزمایش استفاده شده است عبارتنداز: اسید-کلریدریک 2مولار( )، آهن کلراید 6 آبه ( )، سدیم سولفات( )، آمونیاک 085/0 مولار ( )، اسیدکلریدریک 1/0مولار( ) همگی تهیه شده از شرکت مرک آلمان. آب مقطر، استون شستشو و متیل-الکل(متانول ) به عنوان حلال از شرکت کیان کاوه آزما و شیشه (lam) به عنوان زیرلایه از نوع آلمانی برای لایهنشانی نانوذرات.
4 -1-2 روش ساخت :
روش همرسوبی شیمیایی برای سنتز اکسیدهای آهن ( و () از محلولهای آبی [ /+ +] از طریق افزایش یک باز (قلیا) تحت اتمسفر بی اثر و در دمای اتاق یا دماهای بالا می باشد. اندازه، شکل و ترکیب نانوذرات مغناطیسی تولید شده به میزان زیادی به نوع نمکهای مصرفی (کلراید، سولفات، نیترات و پرکلرات)، نسبت Fe2+/Fe3+، دمای واکنش، pH و قدرت یونی محیط بستگی دارد. با این روش سنتزی در صورت ثابت بودن شرایط سنتز، کیفیت نانوذرات تولید شده کاملاً تکرار پذیر خواهد بود.
مراحل سنتز نانوذرات مگهمایت را در هفت گام بطور جزء به جزء توضیح میدهیم:
1): ابتدا به میزان 26/1 گرم از سدیمسولفات ( ) را با آب مقطر حل میکنیم تا مایع شفاف بی رنگی بدست آید.2): سپس به مقدار 4/5 از آهنکلراید 6 آبه( ) را با اسید کلریدریک 2مولار( ) ترکیب کرده محلول رنگ زرد تیره بدست میآید 3): 9 از محلول بدستآمده به همراه 31 آب مقطر به مدت 5 دقیقه یا بیشتر در دستگاه (نوعی لرزشگر یا ویبراتور که امواجی فراصوتی را ایجاد میکند) قرار میدهیم تا محلول کاملا حل شود. به آن 6 از محلول سدیم سولفاتی را که در مرحله اول بدست آورده بودیم را اضافه میکنیم. محلول زرد رنگ شفافی بدست میآید.
4): به محلول زرد رنگ میزان 240 آمونیاک 085/0 مولار ( ) اضافه کرده رنگ محلول بنفش خواهد شد. یک عدد مگنتور در محلول روی هود در دمای 50 (حدودا 30 دقیقه) توسط استایر( ) با تعداد دور 4 تا 5 دور در ثانیه بهم زده میشود. 5): محلول سیاه رنگ (قهوهای تیره) را روی یک آهن ربا قرار میدهیم. چون محلول خاصیت مغناطیسی دارد، کم کم ته نشین میشود. حلال آمونیاک را دور میریزیم. مکررا آب مقطر اضافه میکنیم، بهم میزنیم و دور میریزیم تا آمونیاک خاصیت بازیاش، را از دست دهد. با آن را تست میکنیم تا خنثی شود، یعنی آن به 7 یا پایینتر از آن برسد (شکل 3-1) .6): محلول در حال چرخش را روی هود میگذاریم کمکم به آن اسیدکلریدریک 1/0مولار( ) اضافه میکنیم تا اش به 3 یا 5/3 برسد، یعنی اسیدی اش میکنیم. سپس آن را در داخل بالون رفلاکس به مدت 5/1 ساعت تحت هوادهی قرار میدهیم.7): محلول را از دستگاه رفلاکس بیرون آورده و چند بار دکانته میکنیم تا حدی که آب محلول کاملا شفاف شود. آب مقطر اضافی را هم دور میریزیم و سرانجام ماده موجود در ته ظرف را که به نوعی مگهمایت لیکوییدی یا قیری شکل است، درون آون یا خشککن، به مدت 15 تا 20 ساعت در دمای 80 درجه سلسیوس میگذاریم تا آب اضافی آن کاملا تبخیر شود. و در نهایت با تراشیدن کف بشر، نانوذرات مگهمایت که به رنگ قهوهای سوخته است، بدست میآید.
برای تهیه لایههای نازک از روش اسپری پایرولیز استفاده شد. در این تکنیک از اسپری کردن محلول بدست آمده از نانو ذرات روی یک زیرلایه شیشهای (در دمای 350 تا 400 درجه سلسیوس) استفاده شد. در این تحقیق از یک گاز حامل برای اسپری کردن محلول مورد نظر با استفاده از یک دستگاه پمپ هوا مدل LB10L TORNADO برای تولید پرفشار هوا به عنوان گاز حامل استفاده شده است. با اسپری محلول تهیه شده بر روی بستره حلال آن بر اثر دمای زیرلایه سریعاً تبخیر میشود و لایه نازکی از نانوذرات مگهمایت بر روی بستره تشکیل میشود. فاصلهcm30 برای ارتفاع نازل- بستره و همچنین فشار گاز 3 میلیبار(mbar) برای لایهنشانی در این روش بهینهسازی شد. نمونههای تهیه شده در دماهای مختلف ( 400، 500 و 600) در کوره پخت داده شد.
در این فصل تصاویر SEM تهیه شده در شرایط دمایی مختلف 400، 500 و 600 را که یک نمونه نوعی آن در شکل 4-1 نشان داده شده است را با تبدیل موجک از منظر تقریب و جزئیات مورد بررسی و مقایسه قرار میدهیم. نحوه تخصیص سیگنالها با برنامه متلب و با استفاده از تبدیل موجک انجام شده است.
شکل 4-1 تصویر SEM لایه نازک مگهمایت در دمای ℃600
4-2 بکارگیری موجک درتصاویر SEM:
4-2-1پارامتر مقیاس