پایان نامه درباره نتیجه ها و تکنولوژی


Widget not in any sidebars

2- لایه نازک که ضخامت آن در محدودهی میکرون میباشد.
3- لایه خیلی نازک که ضخامت آن در محدودهی نانومتر است.
4- مونو لایه که ضخامت آن در محدودهی1 تا 01/0 آنگستروم است.
2-4 تقسیم بندی لایهها براساس رسانایی
بر اساس رسانایی میتوان لایهها را به سه دسته عمده تقسیم کرد که عبارتند از:
1- لایههای رسانا: در این نوع لایهها از مواد رسانا به عنوان ماده انباشت استفاده میشود. لایههای رسانا دارای هدایت الکتریکی و گرمایی زیاد هستند و همچنین جلا و شفافیّت خاص خود را دارند. از این لایهها در ساخت اتصالات الکتریکی، نوارهای نازک در مدارهای مایکروویو و بعضی از قطعات الکتریکی دیگر استفاده میشود.
2- لایههای عایق یا دی الکتریک: این مواد در باند هدایتشان در حالت عادی هیچ الکترونی ندارند و از لحاظ الکتریکی نارسانا هستند و به عنوان عایق جداسازی فلزات از یکدیگر یا فلزات از نیمه رساناها استفاده میشود.
3- لایههای نیمه رسانا: از این لایهها در ساخت بعضی قطعات الکترونیکی مانند یکسو کنندههای الکتریکی استفاده میشود.
2-5 عوامل مؤثر در کیفیت لایههای نازک
عواملی که در کیفیت لایههای نازک مانند یکنواختی ضخامت لایه، عدم وجود ترک در سطح لایه و خلوص لایه مؤثر هستند عبارتند از:
1- نوع خلاء: با افزایش میزان خلاء، گذار از حالت جامد به بخار در دمای پایین امکان پذیر میشود و همچنین افزایش میزان خلاء باعث تخلیهی دستگاه خلاء شده و خلوص لایه را بیشتر میکند.
2- سرعت لایهنشانی: زیاد بودن سرعت لایهنشانی باعث میشود که در زمان کم ضخامت زیر لایه به شدت افزایش یابد و کم بودن سرعت لایهنشانی باعث میشود که سطح زیر لایه یکنواخت نشود بنابراین با توجه به ضخامت مورد نیاز باید سرعت لایهنشانی مناسبی را انتخاب کرد.
3- دمای زیر لایه: با توجه به جنس ماده لایهنشانی و اتاقک خلاء باید دمای مناسب اتاقک و زیر لایه را تنظیم کرد.
4- ساختار زیر لایه: جنس زیرلایه و شکل سطح زیر لایه و اندازه زیرلایه در کیفیت زیرلایه تاًثیر دارد.
5- تطابق بین لایه و زیرلایه: جنس زیر لایه باید طوری باشد که ضریب انبساط سطحی آن با ضریب انبساط سطحی لایه تقریبأ برابر باشد تا هنگام گرم و سرد شدن در سطح آن ترک ایجاد نشود.
6- تمیز بودن وسایل مورد استفاده از جمله زیر لایه
7- خالص بودن ماده لایهنشانی: خلوص ماده لایهنشانی و ایجاد شرایط فوق باعث ایجاد لایه خالص و یکنواخت میشود [12].
2-6 فرایندهای لایهنشانی
دو نوع فرایند اساسی برای لایهنشانی مورد استفاده قرار میگیرد که عبارتند از روشهای فیزیکی (PVD) و روشهای شیمیایی (CVD) که ما در اینجا فقط نوع تبخیر فیزیکی را توضیح میدهیم.
2-6-1 فرایند تبخیر فیزیکی
سیستم فرایند تبخیر فیزیکی(PVD) از کارایی بسیار بالایی برخوردار بوده و دامنه وسیعی از متغیرها را در برمیگیرد که برخی از آنها شامل واکنشهای شیمیایی نیز میباشد از این فرایند برای تولید رسوب هایی از فلزات خالص، آلیاژها، ترکیبات و سرامیکها بر روی تقریباً انواع مختلف زیر لایهها با شکلهای مختلف استفاده میشود. سرعت تشکیل پوشش در این روش تا 50 میکرون در دقیقه می رسد. دامنه کاربرد این روش در تمام زمینههای صنعتی و تکنولوژی برای ایجاد خواص سطحی مانند خواص الکتریکی، نوری، مکانیکی، شیمیایی و… میباشد. در این روش انرژی گرمایی به وسیلهی عبور جریان الکتریکی از درون المنت ظرف مخصوص حاوی ماده، به اتمهای ماده داده میشود تا دمای آن به اندازه کافی افزایش یابد و بتواند عمل تبخیر یا تصعید را انجام دهد. میتوان با تغییر جریان اندازه گرما وسرعت تبخیر را کنترل کرد. از مزایای این روش سرعت بالای لایهنشانی ، سادگی و کاربرد نسبتاً آسان آن میباشد. ظرف مخصوص ذوب فلز (بوته) مطابق شکل2-2 به شکل فنجانهای استوانه ایاز جنس اکسیدها، پی رولیتیک،گرافیت و فلزات دیر گداز مانند ایریدیم میباشد و با سیم تنگستن خارجی گرم میشود. از این روش در لایهنشانی مواد رسانا برای مدارهای الکتریکی و تجهیزات الکترونیکی و اپتیکی استفاده میشود. در روش تبخیر فیزیکی تهیه یک محیط با شرایط خلاء بالا بسیار لازم است زیرا مواد گرم شده در این شرایط در دمای پایین میتواند گذار از حالت جامد به حالت گاز داشته باشد و این خلاء بالا از واکنش مواد با هوا یا ذرات دیگر جلوگیری میکند. فشار اولیهی مورد نیاز در این روش تا تور میباشد.
2-6-2 روش پراکنشی (کندوپاش)
در این روش یک نمونه از ماده پوششی و زیر لایه در محفظه خلاء قرار میگیرد. محفظه تا فشار 5 تا 10 تور و کمتر تخلیه شده و سپس یک گاز خنثی، معمولاً آرگون، به داخل آن فرستاده میشود، به صورتیکه فشار تا حدّ 2 تا 10 تور و یا بیشتر افزایش یابد. ماده پوششی که از زمین عایق شده است به یک منبع الکتریکی با ولتاژ 3000- ولت وصل میشود. اعمال این ولتاژ، تخلیهی شدید الکتریکی را موجب میشود در نتیجه هالهای از یونهای آرگون به وجود می آید. یونهای آرگون تولید شده با انرژی زیاد جذب هدف یا ماده پوششی میشود و توسط یک فرایند انتقال گشتاور، اتمهای نمونه پوششی از آن جدا میشوند. اتمهای خارج شده به سمت زیر لایه حرکت کرده و بر روی آن رسوب میکنند. روش کندوپاش مواد به صورتهای واکنشی وغیر واکنشی انجام میشود. در شکل2-1 طرحی از یک دستگاه کندوپاش نمایش داده شده است.