پایان نامه ارشد درمورد محدودیتها و دینامیکی

  • استفادههای عمومی
    1- تصویرگرفتن از سطوح در بزرگنمایی 10 تا 100.000برابر با قدرت تفکیک در حد 3 تا 100 نانومتر (بسته به نمونه)
    2- در صورت تجهیز به آشکارساز back scattered میکروسکوپها قادر به انجام امور زیر خواهند بود:
    a) مشاهده مرزدانه، در نمونههای حکاکی نشده، b) مشاهده حوزهها، (domains) در مواد فرومغناطیس، c) ارزیابی جهت کریستالوگرافی دانهها با قطرهایی به کوچکی 2 تا 10 میکرومتر، d) تصویر نمودن فاز دوم روی سطوح حکاکی نشده (درصورتی که متوسط عدد اتمی فاز دوم، متفاوت از زمینه باشد).
    3- با اصلاح مناسب میکروسکوپ میتوان از آن برای کنترل کیفیت و بررسی عیوب قطعات نیمه هادی استفاده نمود.
    نمونههایی از کاربردها
    1- بررسی نمونههایی متالوگرافی ، در بزرگنمایی بسیار بیشتر از میکروسکوپ نوری
    2- بررسی مقاطع شکست و سطوح حکاکی عمیق، که مستلزم عمق میدانی بسیار بزرگتر از حد میکروسکوپ نوری است.
    3- ارزیابی جهت کریستالوگرافی اجرایی نظیر دانهها، فازهای رسوبی و دندریتها بر روی سطوح آماده شده برای کریستالوگرافی
    4- شناسایی مشخصات شیمیایی اجزایی به کوچکی چند میکرون روی سطح نمونهها، برای مثال، آخالها، فازهای رسوبی و پلیسههای سایش
    5- ارزیابی گرادیان ترکیب شیمیایی روی سطح نمونهها در فاصلهای به کوچکی μm 1
    6- بررسی قطعات نیمههادی برای آنالیز شکست، کنترل عملکرد و تأیید طراحی نمونهها
    محدودیتها
    1- کیفیت تصویر سطوح تخت، نظیر نمونههایی که پولیش و حکاکی متالوگرافی شدهاند، معمولاً در بزرگنمایی کمتر از 300 تا 400 ، برابر به خوبی میکروسکوپ نوری نیست.
    2- قدرت تفکیک حکاکی بسیار بهتر از میکروسکوپ نوری است، ولی پایین تر از میکروسکوپ الکترونی عبوری و میکروسکوپ عبوری روبشی است.
    1-8-6 میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM)
    در این میکروسکوپ پروب با لایهای نازک از یک ماده فرو مغناطیسی پوشانده میشود و نسبت به خواص مغناطیسی سطح نمونه حساس میباشد. اساس کار آن نیز بصورت دینامیکی یعنی تغییرات بسامد تشدید کانتی لیور اندازهگیری میشود. بسامد به ارتعاش پروب بستگی دارد که پروب به خواص مغناطیسی حساس میباشد بدین ترتیب تغییرات بسامد پردازش شده و تصویری از ساختار مغناطیسی سطح نمونه بدست میآید.
    1-8-7 میکروسکوپ روبشی تونلی (STM):
    میکروسکوپ روبشی تونلی (STM) دستگاهی است که برای بررسی ساختار و خواص سطوح مواد رسانا، بیولوژیک که تا حدی رسانا هستند و همچنین لایههای نازک نارسانا که روی زیرلایه رسانا لایه نشانی شدهاند، در ابعاد زیر نانومتر، بکار میرود مبنای اندازهگیری هندسه و خواص سطحی در این دستگاه بر این واقعیت استوار است که هرگاه فاصله یک سوزن تیز رسانا از یک سطح رسانا حدود چندآنگستروم باشد (متصل نشوند) و اختلاف ولتاژی به بزرگی حدود ده میلی ولت به آن اعمال شود جریان الکتریکی حدود چند نانوآمپر بین سوزن و سطح برقرار میشود. به این پدیده در اصطلاح « جریان تونل زنی » گفته میشود. این پدیده تنها در سایه مکانیک کوانتومی روی میدهد چرا که الکترونها در انتقال از سوزن به سطح و برعکس از ناحیهای میگذرند که انرژی پتانسیل الکترون از انرژی کل آن بزرگتر است (ناحیه بین سوزن و سطح). شکل زیر بطور نمادین اجزای اصلی دستگاه STM را نشان میدهد.

    شکل 1-13 نمایش نمادین اجزای اصلی واصول عملکرد دستگاه STM

    این نوشته در مقالات و پایان نامه ها ارسال شده است. افزودن پیوند یکتا به علاقه‌مندی‌ها.